[发明专利]非易失性半导体存储器件在审
| 申请号： | 201310711088.3 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103646962A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 安田直树 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/792;H01L29/788;H01L21/28;H01L29/423;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体区；在所述半导体区上的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上的电荷存储层；在所述电荷存储层上的第二绝缘膜；以及在所述第二绝缘膜上的控制栅电极，其中，所述第二绝缘膜包含：由氧化铪形成的底层（A）、由氧化铪形成的顶层（C）、以及由(SiO2)x(Si3N4)1-x形成的中间层（B），其中，0.75≤x≤1，所述中间层（B）形成在所述底层（A）与所述顶层（C）之间，所述电荷存储层由多个层形成，并且所述控制栅电极包含：包含Ta的第一层和包含W的第二层，所述第一层与所述顶层（C）接触，并且所述第二层与所述第一层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储器件，包括：半导体区；在所述半导体区上的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上的电荷存储层；在所述电荷存储层上的第二绝缘膜；以及在所述第二绝缘膜上的控制栅电极，其中，所述第二绝缘膜包含：由氧化铪形成的底层（A）、由氧化铪形成的顶层（C）、以及由(SiO2)x(Si3N4)1‑x形成的中间层（B），其中，0.75≤x≤1，所述中间层（B）形成在所述底层（A）与所述顶层（C）之间，所述电荷存储层由多个层形成，并且所述控制栅电极包含：包含Ta的第一层和包含W的第二层，所述第一层与所述顶层（C）接触，并且所述第二层与所述第一层接触。
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