[发明专利]成膜方法

摘要

本发明提供一种使用成膜装置的成膜方法。该成膜装置包括第1气体供给部、以及第2气体供给部以及能够载置多个基板的旋转台，其中，该成膜方法包括第1工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；第2工序，自第1气体供给部供给含有第1元素的第1反应气体并自第2气体供给部供给氧化气体，使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第1元素的第1氧化膜；第3工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；以及第4工序，自第1气体供给部供给含有第2元素的第2反应气体、自第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第2元素的第2氧化膜。

主权项

一种成膜方法，在该成膜方法中，使用成膜装置在多个基板上形成含有规定的第1元素和第2元素的氧化膜，上述第1元素和第2元素是金属元素或半导体元素，上述成膜装置包括：旋转台，其以能够旋转的方式收纳在腔室内，并具有能够在上表面载置多个基板的载置部；第1处理区域，其被划分在上述旋转台的上述上表面的上方，具有用于朝向上述旋转台的上述上表面供给气体的第1气体供给部；第2处理区域，其以沿着上述旋转台的周向与上述第1处理区域分开的方式配置，具有用于对上述旋转台的上述上表面供给气体的第2气体供给部；以及分离区域，其设于上述第1处理区域与上述第2处理区域之间，具有分离气体供给部和顶面，该分离气体供给部用于对上述旋转台的上述上表面供给分离气体，该顶面与上述旋转台的上述上表面之间形成有用于将来自该分离气体供给部的上述分离气体向上述第1处理区域和上述第2处理区域引导的狭窄空间，其中，该成膜方法包括以下工序：第1工序，在自上述第1气体供给部和上述分离气体供给部供给上述分离气体并自上述第2气体供给部供给氧化气体的状态下使上述旋转台旋转至少1周；第2工序，在自上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体、自上述第2气体供给部供给氧化气体并自上述分离气体供给部供给上述分离气体的状态下使上述旋转台旋转第1规定周数，从而在上述基板上形成含有上述第1元素的第1氧化膜；第3工序，在自上述第1气体供给部和上述分离气体供给部供给上述分离气体并自上述第2气体供给部供给上述氧化气体的状态下使上述旋转台旋转至少1周；以及第4工序，在自上述第1气体供给部供给含有上述第2元素的第2反应气体、自上述第2气体供给部供给上述氧化气体并自上述分离气体供给部供给上述分离气体的状态下使上述旋转台旋转第2规定周数，从而在上述基板上形成含有上述第2元素的第2氧化膜。