[发明专利]用于在衬底上安装半导体芯片的热压结合方法及装置

摘要

用于在衬底上安装半导体芯片的热压结合方法及装置。一种用于在衬底（4）上安装半导体芯片（5）的热压结合方法，包括：用可移位地安装在TC结合头（2）上的芯片夹持器（8）拾取半导体芯片（5）；将芯片夹持器（8）定位在指定的衬底位置（4）上方；降低TC结合头（2）直至芯片夹持器（8）相对于TC结合头（2）偏离预定距离的位置；将半导体芯片（5）加热到焊料的熔点以上的温度，以使芯片夹持器（8）的偏离再次变为零；等待，直到半导体芯片（5）的温度的值已经下降到焊料的熔化温度以下；以及提升TC结合头（2）。

主权项

一种用于在衬底（4）的表面上安装半导体芯片（5）的热压结合方法，其中半导体芯片（5）一个接一个地被芯片夹持器（8）拾起并被安装在所述衬底（4）上，其中TC结合头（2）能够利用驱动器（6）在与所述衬底（4）的表面垂直地延伸的Z方向上移位，所述芯片夹持器（8）能够在所述Z方向上移位地安装在所述TC结合头（2）上，并且固定到所述TC结合头（2）的力传递器（12）被构造成在所述TC结合头（2）的挡块（11）的方向上按压所述芯片夹持器（8）的延伸部（10），并且其中所述芯片夹持器（8）包括加热器（13），其中执行下列步骤以在半导体芯片（5）和衬底（4）之间产生焊点（14）形式的牢固的焊接连接部：用所述芯片夹持器（8）拾取半导体芯片（5）；将所述芯片夹持器（8）定位在指定的衬底位置（4）上方；利用所述驱动器（6）使所述TC结合头（2）降低到Z位置，在该Z位置中，所述芯片夹持器（8）相对于所述TC结合头（2）偏离预定距离D_S，使得所述芯片夹持器（8）的延伸部（10）不支承在所述TC结合头（2）的挡块（11）上；利用所述加热器（13）加热所述半导体芯片（5）；在所述半导体芯片（5）已经达到所述焊点（14）的焊料的熔化温度之上的温度，使得所述焊点（14）熔化且所述芯片夹持器（8）的延伸部（10）支承在所述TC结合头（2）的挡块（11）上时，立即终止对所述半导体芯片（5）的加热；等待，直到所述半导体芯片（5）的温度的值已经下降到焊料的熔化温度以下；以及提升所述TC结合头（2）。