[发明专利]通过热处理和/或溶剂处理恢复多孔电介质k值有效
| 申请号： | 201310713240.1 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887227B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李南海;威廉·蒂;诺维·撒斯特拉维迪·佐克罗;王亚新;阿图尔·柯利奇 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及通过热处理和/或溶剂处理恢复多孔电介质k值，具体提供一种用于在多孔低k电介质层下的衬底上形成半导体设备的方法，其中，将特征形成在所述多孔低k电介质层中，且其中，使障碍层形成在所述多孔低k电介质层上。在特征中形成触点。将障碍层平面化。在触点上形成盖层，其中，形成所述盖层在所述多孔低k电介质层中提供金属和有机污染物。用第一湿法工艺从多孔低k电介质层去除金属污染物。用第二湿法工艺从多孔低k电介质层去除有机成分。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 热处理 溶剂 处理 恢复 多孔 电介质 | ||
【主权项】：
一种用于在多孔低k电介质层下的衬底上形成半导体设备的方法，其中，将特征形成在所述多孔低k电介质层中，且其中，使障碍层形成在所述多孔低k电介质层上，所述方法包括：在所述特征中形成触点；将所述障碍层平面化；在所述触点上形成盖层，其中，所述形成所述盖层在所述多孔低k电介质层中提供金属污染物和有机污染物；用第一湿法工艺从所述多孔低k电介质层去除所述金属污染物；以及用第二湿法工艺从所述多孔低k电介质层去除所述有机污染物以便恢复所述多孔低k电介质层的k值，所述特征包括沟槽或者通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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