[发明专利]金属互连结构的制作方法在审
| 申请号： | 201310713456.8 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104733376A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 施京美;张校平;代大全 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属互连结构的制作方法，所述金属互连结构的制作方法至少包括：提供半导体衬底；利用沉积、光刻和等离子刻蚀工艺在所述半导体衬底上形成由钨插塞和铝布线构成的金属互连结构；利用灰化法去除金属互连结构上光刻胶残渣；利用紫外线照射所述金属互连结构；利用有机溶剂清洗被紫外线照射后的所述金属互连结构。本发明有效的改善了传统工艺中会发生钨插塞几乎被完全损耗掉，引起电路断路的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述金属互连结构的制作方法至少包括：提供半导体衬底；利用沉积、光刻和等离子刻蚀工艺在所述半导体衬底上形成由钨插塞和铝布线构成的金属互连结构；利用灰化法去除金属互连结构上光刻胶残渣；利用紫外线照射所述金属互连结构；利用有机溶剂清洗被紫外线照射后的所述金属互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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