[发明专利]基于偶极子阵列的低剖面电路模拟吸收体在审
申请号: | 201310713526.X | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN104733868A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 车文荃;常玉梅;周雍;熊瑛;韩叶 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | H01Q17/00 | 分类号: | H01Q17/00;H05K9/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 马鲁晋 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种新型的低剖面电路模拟吸收体,采用可以有效降低基于偶极子阵列电路模拟吸收体厚度的方法–感性接地面法,不仅可以有效降低吸收体的厚度,还可以展宽原结构的工作带宽。该方法以经典传输线理论为基础,通过在中心加载偶极子阵列电路与接地面之间引入短路贴片阵列,实现普通接地面向感性接地面的转化,从而有效降低电路模拟吸收体的厚度;另外,感性接地面与表面电路的电抗成分之间的耦合作用,还可以用来展宽吸收体的工作带宽。该技术主要是通过短路贴片阵列来实现,结构简单,采用普通的PCB板工艺,加工容易,并且成本和重量都相对较小,因而可以大规模地应用在电路模拟吸收体的设计当中。 | ||
搜索关键词: | 基于 偶极子 阵列 剖面 电路 模拟 吸收体 | ||
【主权项】:
一种低剖面电路模拟吸收体,其特征在于,包括若干吸收体单元,上述吸收体单元以方形栅格形式二维周期排布,构成阵列,每个吸收体单元均包括偶极子[1]、薄膜贴片电阻[2]、上层介质基板[3]、方型金属贴片[4]、下层介质基板[5]、金属板[6]、第一金属化通孔[7]、第二金属化通孔[8];下层介质基板[5]的底部设置金属板[6],下层介质基板[5]上表面中部设置方型金属贴片[4],下层介质基板[5]上开有第一金属化通孔[7]、第二金属化通孔[8],该两个金属化通孔位于方型金属贴片[4]的两侧,下层介质基板[5]的上方设置上层介质基板[3],上层介质基板[3]的上表面中部设置偶极子[1],偶极子[1]的中部设置薄膜贴片电阻[2],偶极子[1]的延伸方向与两个金属化通孔圆心连线相平行。
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