[发明专利]成膜方法有效
申请号: | 201310713574.9 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN103882411A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 小川淳 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455;H01L21/31 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供成膜方法。该成膜方法所使用的成膜装置包括:旋转台;第1处理区域;第2处理区域;以及分离区域。该成膜方法包括以下工序:第1工序:在自第1气体供给部和分离气体供给部供给分离气体、自第2气体供给部供给氧化气体的状态下,使旋转台旋转至少一周;第2工序:在自第1气体供给部供给含有规定的元素的反应气体、自第2气体供给部供给氧化气体、自分离气体供给部供给分离气体的状态下,使旋转台旋转规定周数,从而在基板上形成含有规定的元素的氧化膜;第3工序:在自第1气体供给部和分离气体供给部供给分离气体、自第2气体供给部供给氧化气体的状态下,使旋转台旋转至少一周。 | ||
搜索关键词: | 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜方法,在该成膜方法中使用成膜装置在多个基板上形成含有规定元素的氧化膜,该成膜装置包括:旋转台,其能旋转地收容于腔室内,具有能够将多个基板载置于上表面的载置部;第1处理区域,其被划分在上述旋转台的上述上表面的上方,具有用于向上述旋转台的上述上表面供给气体的第1气体供给部;第2处理区域,其配置为沿着上述旋转台的周向与上述第1处理区域分开,具有用于向上述旋转台的上述上表面供给气体的第2气体供给部;以及分离区域,其设置于上述第1处理区域和上述第2处理区域之间,具有分离气体供给部和顶面,该分离气体供给部用于向上述旋转台的上述上表面供给分离气体,该顶面与上述旋转台的上述上表面之间形成有用于将来自该分离气体供给部的上述分离气体向上述第1处理区域和上述第2处理区域引导的狭窄的空间,其中,该成膜方法包括以下工序:第1工序:在自上述第1气体供给部和上述分离气体供给部供给上述分离气体、自上述第2气体供给部供给氧化气体的状态下,使上述旋转台旋转至少一周;第2工序:在自上述第1气体供给部供给含有上述规定的元素的反应气体、自上述第2气体供给部供给上述氧化气体、自上述分离气体供给部供给上述分离气体的状态下,使上述旋转台旋转规定周数,从而在上述基板上形成含有上述规定的元素的氧化膜;以及第3工序:在自上述第1气体供给部和上述分离气体供给部供给上述分离气体、自上述第2气体供给部供给上述氧化气体的状态下,使上述旋转台旋转至少一周。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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