[发明专利]磁性结和磁存储器以及用于提供磁性结的方法有效
| 申请号： | 201310713668.6 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887425B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | D.阿帕尔科夫;A.V.科瓦尔科夫斯基;V.尼基丁;S.M.沃茨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了磁性结和磁存储器以及用于提供磁性结的方法。该磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层、非磁性间隔层和参考层相对于基板形成非零度角。该磁性结被配置使得当写入电流穿过磁性结时自由层在多个稳定磁状态之间可转换。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 磁存储器 以及 用于 提供 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性结，其在磁装置中使用并且位于基板上，该磁性结包括：参考层；非磁性间隔层；自由层，所述非磁性间隔层位于所述自由层和所述参考层之间，所述自由层、所述非磁性间隔层和所述参考层相对于所述基板形成至少一个非零度角；和至少一个磁偏结构，邻近所述自由层、与所述参考层对准并且具有与所述参考层的磁矩相同方向的磁矩，其中所述磁性结被配置使得写入电流穿过所述磁性结时所述自由层在多个稳定磁状态之间可转换，其中所述自由层在垂直于所述基板的方向上具有第一高度，所述参考层在该方向上具有第二高度，并且所述第一高度小于所述第二高度。
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