[发明专利]一种背透反射式像素单元以及平板传感器有效
申请号: | 201310714171.6 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN103928477B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 郑娅洁 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种背透反射式像素单元以及平板传感器,其中,所述背透反射式像素单元包括数据线、与数据线交叉绝缘的扫描线、开关结构、光电二极管结构以及第一金属层,其中所述第一金属层构成所述背透反射式像素单元的不透光区域,用于沿透光方向遮挡光进入所述开关结构和所述光电二极管结构,并且所述背透反射式像素单元的不被所述第一金属层遮挡的区域构成所述背透反射式像素单元的透光区域。本发明在保证像素单元具有要求尺寸的透光区的同时将透光区集中在像素单元的一边,可以避免透光区域发生光的衍射现象,从而保证了图像的正确性;此外,还能使背透反射式像素单元的电容变大,从而使其动态范围变大以能够满足应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 反射 像素 单元 以及 平板 传感器 | ||
【主权项】:
一种背透反射式像素单元,其特征在于,包括:数据线、与数据线交叉绝缘的扫描线、开关结构、光电二极管结构以及第一金属层,其中所述第一金属层构成所述背透反射式像素单元的不透光区域,用于沿透光方向遮挡光进入所述开关结构和所述光电二极管结构,并且所述背透反射式像素单元的不被所述第一金属层遮挡的区域构成所述背透反射式像素单元的透光区域,所述第一金属层是独立的一层金属;所述光电二极管结构包括第一电极;所述背透反射式像素单元还包括:位于所述第一电极与所述第一金属层之间的绝缘层,所述第一电极和所述第一金属层构成所述背透反射式像素单元的存储电容的两个电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司,未经上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310714171.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的