[发明专利]一种硅基光波导偏振转换器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310714245.6 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103713357B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王苗庆 | 申请（专利权）人： | 绍兴中科通信设备有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126;G02B6/14;G02B6/138 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所(普通合伙)33220 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅基光波导偏振转换器，包括硅衬底、覆盖在硅衬底上表面的二氧化硅层、硅波导层和金属条层，其中，所述硅波导层的横截面呈“L”形，其下表面生长或键合在二氧化硅层的上表面上，上表面形成一高台面和一低台面，金属条层覆盖在硅波导层的低台面上。通过在非对称硅波导层的低台面集成金属条，从而在硅波导层中形成表面等离子体波，增加了两个偏振模式间的有效折射率差，由于偏振转换的效率与模式有效折射率差成反比，从而大大缩减偏振转换器的长度。此外，本发明的金属条层制备在非对称硅波导的低台面上，因此可以在低台面的刻蚀工艺后直接通过金属蒸发和剥离工艺获得，不需要额外的对准光刻工艺，因此易于制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基光 波导 偏振 转换器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基光波导偏振转换器，其特征在于：包括硅衬底、覆盖在硅衬底上表面的二氧化硅层、硅波导层和金属条层，其中，所述硅波导层的横截面呈“L”形，其下表面生长或键合在二氧化硅层的上表面上，上表面形成一高台面和一低台面，金属条层覆盖在硅波导层的低台面上；金属条层的金属条宽度与硅波导层低台面的宽度一致，在80‑250纳米之间；所述硅波导层的宽度为250‑600纳米，高度为250‑600纳米。
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