[发明专利]沟渠式金氧半P-N接面二极管结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201310714461.0 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104733526A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陈美玲 | 申请（专利权）人： | 节能元件控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国香港柴湾利*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开一种沟渠式金氧半P-N接面二极管结构及其制作方法，包含一第一导电型基板；多个的沟渠结构，形成于该第一导电型基板的表面上；一栅极氧化层，至少形成于该沟渠结构内侧壁上；一多晶硅层，形成于该沟渠结构内；一第二导电型第二浓度离子注入区域，至少形成于第一导电型基板中；一第二导电型第一浓度离子注入区域，形成于该沟渠结构底表面下，所述第一浓度高于第二浓度；及一电极层，覆盖于该第一导电型基板、该第二导电型第二浓度离子注入区域、该栅极氧化层及该多晶硅层上。位于沟渠结构底壁下的第一浓度离子注入区域可在反向偏压时提供夹止区电压支撑，因此可以降低此二极管结构的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 式金氧半 二极管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟渠式金氧半P‑N接面二极管结构，其特征在于，包含：一第一导电型基板；多个沟渠结构，形成于该第一导电型基板的表面上；一栅极氧化层，至少形成于该沟渠结构内侧壁上；一多晶硅层，形成于该沟渠结构内，且被该栅极氧化层包围至少部分侧面表面；一第二导电型第二浓度离子注入区域，至少形成于第一导电型基板中，且在该栅极氧化层的外侧；一第二导电型第一浓度离子注入区域，形成于该沟渠结构底表面下，所述第一浓度高于所述第二浓度；及一电极层，覆盖于该第一导电型基板、该第二导电型第二浓度离子注入区域、该栅极氧化层及该多晶硅层上。
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