[发明专利]硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺有效
| 申请号： | 201310715286.7 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103681242B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李俊;陈杰;黄蕴;寇春梅 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,刘海 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺，其特征是，采用以下工艺步骤（1）在硅基片表面溅射生长4μm厚的金属层；（2）在金属层表面涂光刻胶，曝光、显影得到光刻图形；（3）将硅基片放入等离子体设备中，通入氧气，氧气流量为700~900sccm，控制等离子体处理工艺保证光刻胶的去胶量为100~150nm，等离子体处理功率为100~300W，温度为240~260℃，处理时间为20~40秒。步骤（1）所述金属层为Al/Si或Al/Si/Cu，生长温度为250~350℃。本发明所述硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺在硅基片湿法刻蚀前进行处理，采用等离子体去胶设备完成，解决了湿法刻蚀可能存在的刻蚀不干净的情况，保证湿法刻铝的刻蚀容宽。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基片厚 金属 刻蚀 处理 工艺 | ||
【主权项】：
一种硅片厚金属刻蚀的前处理工艺，其特征是，采用以下工艺步骤：（1）在硅基片表面溅射生长4μm厚的金属层，金属层为Al/Si或Al/Si/Cu，生长温度为250℃；（2）在金属层表面涂光刻胶，曝光、显影得到光刻图形；（3）将硅基片放入等离子体设备中，通入氧气，氧气流量为700sccm，控制等离子体处理工艺保证光刻胶的去胶量为100nm，等离子体处理功率为100W，温度为240℃，处理时间为40秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
