[发明专利]一种低介电损耗CaCu3Ti4O12薄膜的制备方法

摘要

一种低介电损耗CaCu3Ti4O12薄膜的制备方法，属于电介质材料合成技术领域。包括以下步骤：1）按照钙、铜、钛摩尔比为1:3:4的比例，配制含钙铜钛的前驱液；2）基片放入管式炉中，升温至900℃保持10小时，随炉自然降至室温；3）采用旋涂法将含钙铜钛的前驱液涂布在基片上，烘干得到含钙铜钛的薄膜样品；4）将步骤3）中得到的薄膜样品放入高压炉中，调节高压炉中气体气氛，使高压炉中保持0.35～0.75Mpa的高纯氧，在900℃下对薄膜样品进行烧结处理，然后随炉降温得到CaCu3Ti4O12薄膜。采用本发明方法制备的薄膜质量高，表面均匀，介电损耗有大幅度下降。

主权项

一种低介电损耗CaCu3Ti4O12薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）分别将含钙盐、铜盐、钛盐的混合液与水溶性高分子混合，得到含钙络合物的混合液、含铜络合物的混合液、含钛络合物的混合液，然后按照含钙络合物、含铜络合物、含钛络合物的摩尔比为1:3:4的比例，配制含钙铜钛的混合液，作为制备CaCu3Ti4O12薄膜的前驱液；（2）将基片放入管式炉中，升温至900℃保持10小时后，随炉自然降温至室温；（3）采用旋涂的方法将含钙铜钛的前驱液均匀涂布在步骤（2）处理后的基片上，并置于干燥箱中烘干，得到含钙铜钛的薄膜样品；（4）将步骤（3）中得到的含钙铜钛的薄膜样品放入高压炉中，调节高压炉中气体气氛，使高压炉中保持0.35～0.75Mpa压强范围的高纯氧，在900℃下对薄膜样品进行烧结处理，然后随炉自然降温至室温，得到低介电损耗的CaCu3Ti4O12薄膜。