[发明专利]一种键合晶片的减薄方法

摘要

本发明提供一种键合晶片的减薄方法，在对器件晶片进行减薄之前，先使用磨轮对其边缘进行磨削，以去除其弧形边缘。本发明中在减薄工序之前使用磨轮对键合晶片进行了处理，磨去了器件晶片弧形的边缘，这就有效避免了键合晶片减薄过程中出现尖角，进而杜绝了器件晶片边缘破裂问题的发生，可以在保证器件晶片边缘不破裂的前提下，将其减薄至50μm以下，以满足后续制备工艺的需要，保证随后制作的半导体器件的性能。与现有减薄工艺相比，本发明不会对减薄机台和后续工艺造成任何污染，且所使用的设备简单，易于操作，工序简洁，大大提高了生产效率，降低了生产成本和设备成本。

主权项

1.一种键合晶片的减薄方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供一载片及一器件晶片；将所述载片和器件晶片进行键合，形成键合晶片；2)使用磨轮对所述键合晶片中的器件晶片进行切割或磨削，以去除其弧形边缘；使用磨轮对器件晶片进行切割或磨削，至少包括以下步骤：a)键合晶片被真空吸附在卡盘表面，以一定的速度旋转，且器件晶片位于载片上方；b)磨轮被垂直固定在驱动轴上，以一定的速度转动；c)调整磨轮位置，设定磨轮切割或磨削器件晶片边缘的磨削宽度，磨轮沿设定好的磨削宽度由上至下对键合晶片的器件晶片边缘进行切割至器件晶片和载片的接触面后继续向载片磨削，直至将载片磨削掉预设尺寸；其中，设定的磨轮切割或磨削器件晶片边缘的磨削宽度为键合晶片的狭缝最小处到器件晶片的外沿的距离；3)将所述去除弧形边缘的器件晶片减薄到所需尺寸。