[发明专利]一种半导体器件表面预清洁方法在审
| 申请号： | 201310717828.4 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104733283A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 林静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件表面预清洁方法，所述预清洁方法至少包括以下步骤：首先，提供可供预处理的基底，所述基底包括半导体衬底和自然氧化形成在所述半导体衬底表面的氧化膜；接着，放置所述基底于第一工艺腔中，并向第一工艺腔内通入刻蚀气体，所述刻蚀气体与氧化膜发生化学反应在半导体衬底上形成保护膜；最后，将形成有保护膜的半导体衬底从第一工艺腔中取出，保存于存储装置中，经过设定的保存时间后，将形成有保护膜的半导体衬底放置在第二工艺腔中进行退火处理，使所述保护膜去除，直至暴露出半导体衬底表面。利用本发明的预清洁方法进行预清洁的效果好、效率高，不易发生再次自然氧化造成污染，成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 表面 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件表面预清洁方法，其特征在于，所述预清洁方法至少包括步骤：1）提供可供预处理的基底，所述基底包括半导体衬底和自然氧化形成在所述半导体衬底表面的氧化膜；2）放置所述基底于第一工艺腔中，并向第一工艺腔内通入刻蚀气体，所述刻蚀气体与氧化膜发生化学反应在半导体衬底上形成保护膜；3）将形成有保护膜的半导体衬底从第一工艺腔中取出，保存于存储装置中，经过设定的保存时间后，将形成有保护膜的半导体衬底放置在第二工艺腔中进行退火处理，使所述保护膜去除，直至暴露出半导体衬底表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
