[发明专利]低N型埋源漏电阻的光罩式只读存储器的结构及制造方法

摘要

本发明公开了一种低N型埋源漏电阻的光罩式只读存储器的制造方法，步骤包括：1）形成浅隔离槽，进行P阱注入；2）涂布N型埋源漏的光阻，曝光，进行第一次砷或磷离子注入，在源漏区域单侧形成第一N型埋源漏；3）进行第二次能量比第一次低的砷离子注入，形成与第一N型埋源漏相连、比第一N型埋源漏浅且宽的第二N型埋源漏；4）形成栅氧、多晶硅栅和栅极隔离侧墙。本发明还公开了用上述方法制作的光罩式只读存储器的结构。本发明采用一次光刻、两次注入的方法，将深的带斜角注入与浅的垂直注入相结合，使N型埋源漏形成特殊的“Γ”形结构，从而在有效沟道长度不受影响的情况下，增加了源漏深度，降低了光罩式只读存储器源漏的寄生电阻。

主权项

低N型埋源漏电阻的光罩式只读存储器的制造方法，其特征在于，步骤包括：1）用现有工艺在硅衬底有源区上形成浅隔离槽，并进行P阱注入；2）涂布N型埋源漏的光阻，曝光，进行第一次砷离子或磷离子注入，在N型埋源漏区域的单侧形成第一N型埋源漏；3）进行第二次能量比第一次低的砷离子注入，形成与第一N型埋源漏相连的、比第一N型埋源漏浅且宽的第二N型埋源漏；4）用现有工艺形成栅氧、多晶硅栅和栅极隔离侧墙，完成光罩式只读存储器的制作。