[发明专利]使用具有硅通孔的中介层衬底的芯片封装无效
| 申请号： | 201310718109.4 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103887258A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 泽圭姜 | 申请（专利权）人： | 辉达公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/29;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种微电子封装，所述微电子封装包括由半导体衬底形成的具有硅通孔的中介层和耦连到所述中介层的一种或多种半导体裸片。在所述中介层的第一侧上所形成的第一信号再分布层将所述一个或多个半导体裸片电耦连到所述硅通孔。第二再分布层在所述中介层的第二侧上形成且电耦连到所述硅通孔。在一些实施例中，模塑复合物连接到所述中介层的边缘表面且配置为增加所述微电子封装的刚性。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 具有 硅通孔 中介 衬底 芯片 封装 | ||
【主权项】：
一种微电子封装，包括：中介层，所述中介层由半导体衬底形成且包括多个硅通孔；半导体裸片，所述半导体裸片耦连到所述中介层的第一表面；和模塑复合物，所述模塑复合物连接到所述中介层的边缘表面且配置为增加所述微电子封装的刚性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于辉达公司，未经辉达公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310718109.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
