[发明专利]EEPROM的结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201310718608.3 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104733461A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 吴永杰;张可钢;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种EEPROM的结构，其浮栅采用U形结构，分为相互连接的上、下两个部分，上半部分浮栅的宽度大于下半部分浮栅的宽度；上半部分浮栅的下方为器件沟道区，沟道长度为上半部分浮栅的宽度；下半部分浮栅的下方开有贯通整个有源区的长条形隧道窗口图形。本发明还公开了上述结构的EEPROM的制造方法，该方法在厚栅氧化膜形成后，刻蚀隧道窗口前，借助隧道窗口掩膜版进行离子注入；在U形浮栅形成后，再进行自对准源漏离子注入。本发明通过优化EEPROM浮栅的结构，并相应优化隧道窗口的结构和EEPROM的制造工艺，降低了制造工艺的波动性，提高了EEPROM存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | eeprom 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
EEPROM的结构，其特征在于，该EEPROM的浮栅为U形结构，分为相互连接的上、下两个部分，上半部分浮栅的宽度大于下半部分浮栅的宽度；上半部分浮栅的下方为器件沟道区，沟道长度为上半部分浮栅的宽度；下半部分浮栅的下方开有贯通整个有源区的长条形隧道窗口图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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