[发明专利]一种具有记忆和多次选择输出功能的像素单元电路无效
| 申请号： | 201310719144.8 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103686005A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 骆丽;李瑞菁 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有记忆和多次选择输出功能的像素单元电路，可应用于CMOS图像传感器。所述像素单元电路在传统四管有源像素电路结构上增加了电容充电、放电两个选通晶体管和一个存储电容。电容充电选通晶体管位于传输门晶体管输出端和存储电容上极板之间，控制存储电容充电操作；电容放电选通晶体管位于存储电容上极板和源跟随晶体管栅极之间，控制存储电容放电操作；存储电容上极板位于电容充电选通晶体管和电容放电选通晶体管连接处，下极板接地，起到存储固定瞬时光照信息并使其能被多次选择性输出的作用。本发明增加了像素单元内存储瞬时光照信息的功能，同时增加了多次选择性输出固定瞬时光照信息的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 记忆 多次 选择 输出 功能 像素 单元 电路 | ||
【主权项】：
一种具有记忆和多次选择输出功能的像素单元电路，具有六管结构：其特征在于：所述像素单元电路在传统四管有源像素电路结构上增加了电容充电、放电两个选通晶体管和一个存储电容；电容充电选通晶体管位于传输门晶体管输出端和存储电容上极板之间，控制存储电容充电操作；电容放电选通晶体管位于存储电容上极板和源跟随晶体管栅极之间，控制存储电容放电操作；存储电容上极板位于电容充电选通晶体管和电容放电选通晶体管连接处，下极板接地，起到存储固定瞬时光照信息并使其能被多次选择性输出的作用。
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