[发明专利]金属掺杂锗碲基阻变存储材料及制备方法和阻变单元器件在审
| 申请号： | 201310719978.9 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104733610A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;许磊;李祎;徐荣刚;赵俊峰 | 申请（专利权）人： | 杭州华为数字技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 310053 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料，分子式为MxGeyTez，其中0<x≤20，35≤y≤55，z=100-x-y，M为Ag、Al、Au、Ti、W、Ta、Fe或Mn，其中金属M的掺杂提高了锗碲基阻变存储材料的晶化温度从而提高了非晶态的热稳定性，阻变特性受热扰动因素较小，解决了现有锗碲材料晶化温度低导致数据存储的丢失或扰动以及能耗增高的问题，具有较高的实际应用价值。本发明实施例还提供了该金属掺杂锗碲基阻变存储材料的制备方法，该制备方法操作灵活，适用范围广。本发明实施例提供了包括该金属掺杂锗碲基阻变存储材料的阻变单元器件。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 掺杂 锗碲基阻变 存储 材料 制备 方法 单元 器件 | ||
【主权项】：
一种金属掺杂锗碲基阻变存储材料，其特征在于，所述金属掺杂锗碲基阻变存储材料的分子式为MxGeyTez，其中0<x≤20，35≤y≤55，z=100‑x‑y，M为Ag、Al、Au、Ti、W、Ta、Fe或Mn。
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