[发明专利]扩散后方块电阻和少子寿命异常硅片的处理办法

摘要

本发明涉及一种扩散后方块电阻（简称方阻）和少子寿命异常硅片的处理办法，该方法用于处理因扩散不当而不合质量标准的硅片。其特点是，包括如下步骤：（1）首先对单晶硅片单面扩散后方块电阻和少子寿命异常硅片进行分类，第一类为方阻和少子寿命分别为90-130Ω/sq和0-2μs，第二类为方阻和少子寿命分别为75-90Ω/sq和4-20μs，第三类为方阻和少子寿命分别为40-50Ω/sq和4-20μs，第四类为方阻和少子寿命分别为60-75Ω/sq和2-4μs；（2）对第一类硅片进行如下处理：按原扩散工艺再重复进行一次扩散。采用本发明的方法后，省去了重新清洗制绒的环节，大大节约了返工成本、时间。

主权项

一种扩散后方块电阻和少子寿命异常硅片的处理办法，其特征在于，包括如下步骤： （1）首先对单晶硅片单面扩散后方块电阻和少子寿命异常硅片进行分类，第一类为方阻和少子寿命分别为90‑130Ω/sq和0‑2μs，第二类为方阻和少子寿命分别为75‑90Ω/sq和4‑20μs，第三类为方阻和少子寿命分别为40‑50Ω/sq和4‑20μs，第四类为方阻和少子寿命分别为60‑75Ω/sq和2‑4μs； （2）按照步骤（1）的分类标准，对第一类硅片进行如下处理：按原扩散工艺再重复进行一次扩散，扩散时确保三氯氧磷源瓶处于打开状态，扩散炉温度保持在扩散工艺起始温度800‑820℃。