[发明专利]具有应变沟道的晶体管制备方法以及具有应变沟道的晶体管有效
| 申请号： | 201310720622.7 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103745928A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 魏星;母志强;薛忠营;狄增峰;方子韦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有应变沟道的晶体管制备方法以及具有应变沟道的晶体管。所述方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括器件层；形成晶体管，包括在器件层中形成源极和漏极，并在器件层表面形成栅极；在器件层表面形成绝缘保护层；在所述绝缘保护层表面形成应力层；使晶体管栅极导电沟道所在位置的器件层悬空，器件层在应力层的作用下发生卷曲，从而使晶体管栅极导电沟道发生张应变。本发明的优点在于，栅极所在区域的器件层自由卷曲，器件层在张应力的作用下发生应变，该应变是由物理形变引入的，因此应变稳定，不易消失。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应变 沟道 晶体管 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种具有应变沟道的晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括支撑层、支撑层表面的埋层以及埋层表面的器件层；形成晶体管，包括在器件层中形成源极和漏极，并在器件层表面形成栅极；在器件层表面形成绝缘保护层，所述绝缘保护层亦覆盖所述栅极；在所述绝缘保护层表面形成应力层，所述应力层能够在器件层中引入张应力；通过去除部分器件层以及部分埋层的方式使晶体管栅极导电沟道所在位置的器件层悬空，器件层在应力层的作用下发生卷曲，从而使晶体管栅极导电沟道发生张应变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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