[发明专利]有机发光显示器件及其制造方法在审
申请号: | 201310722464.9 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN104733644A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 施文峰 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 苏培华 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种有机发光显示器件及其制造方法,其中,所述有机发光显示器件包括:反射层、多晶硅层、栅极、导电层、发射电极,所述多晶硅层包括源极以及漏极,所述导电层与所述源极及漏极相连接,所述发射电极与所述导电层相连接,所述反射层与所述发射电极是分离的。本发明的有益效果是:通过将发射电极和反射层分离开来进行单独制作,从而解决发射电极与反射层一同相邻制作的弊端,解决了现有技术蚀刻构图过程中反射层的反射材料与发射电极的电极材料之间可能发生的电化腐蚀。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种有机发光显示器件的制造方法,其包括如下步骤:S1:在基板上沉积SiNx层以及反射层;S2:沉积覆盖所述SiNx层及所述反射层的SiO层;S3:制作多晶硅层,接着在所述多晶硅层上沉积栅绝缘层,接着在所述栅绝缘层上溅射第一金属层并形成栅极,接着形成层间绝缘层并在所述层间绝缘层上沉积第二金属层作为导电层;所述多晶硅层包括源极以及漏极,所述导电层与所述源极及漏极相连接;以及S4:沉积钝化绝缘层,接着采用溅射的方法形成发射电极,所述发射电极与所述导电层相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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