[发明专利]铜膜形成用组合物、铜膜形成方法、铜膜、配线基板以及电子设备有效
| 申请号： | 201310722656.X | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103897494B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 有留功;桑田博昭;田中健朗;渡部和人;下田杉郎;大喜多健三 | 申请（专利权）人： | JSR株式会社 |
| 主分类号： | C09D11/52 | 分类号： | C09D11/52;H05K1/09;G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 日本东京港*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够简便地形成低电阻的铜膜的铜膜形成用组合物，提供使用所述铜膜形成用组合物的铜膜形成方法，且提供铜膜、配线基板以及触摸屏。含有(A)选自由有机酸铜、氢氧化铜以及氧化铜所组成的组群中的至少1种铜化合物、(B)卤素化合物、以及(C)还原剂，来制备用于形成铜膜的铜膜形成用组合物。使用所述铜膜形成用组合物，于基板上形成涂膜，于200℃以下进行加热，于基板上形成铜膜而制造配线基板。另外，使用铜膜形成用组合物，于设置有第1检测电极(23)及第2检测电极(24)等的透明基板(22)上形成涂膜，对所述涂膜进行加热而形成引出配线(31)，来制造触摸屏(21)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 组合 方法 铜膜 配线基板 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
一种铜膜形成用组合物，其特征在于包括：(A)选自由有机酸铜、氢氧化铜以及氧化铜所组成的组群中的至少1种铜化合物；(B)卤素化合物；以及(C)还原剂；所述(B)成分的卤素化合物的含量为全部成分的5质量％～20质量％。
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