[发明专利]掺杂ZnO纳米线透明导电陷光结构的硅太阳电池

摘要

本发明公开了一种掺杂ZnO纳米线透明导电陷光结构的硅太阳电池，包括由下而上依次逐层连接的背电极、p型硅衬底、n型层、减反射层和前电极，在n型层与减反射层之间分布有掺杂铝或硼的ZnO纳米线。本发明将掺杂ZnO纳米线组装到硅太阳电池基片表面，形成透明导电陷光结构复合层，增强电池对太阳光的有效吸收捕获，从而提高硅太阳电池的光电转换效率，比传统的硅太阳电池的光电转换效率提高1-5%。如某类型传统的硅太阳电池的光电转换效率是16%，则本发明公开的掺杂ZnO纳米线透明导电陷光结构的相应类型硅太阳电池光电转换效率可达17-21%。

主权项

一种掺杂ZnO纳米线透明导电陷光结构的硅太阳电池，其特征在于，所述硅太阳电池包括由下而上依次逐层连接的背电极、p型硅衬底、n型层、减反射层和前电极；在所述n型层和所述减反射层之间分布有掺杂ZnO纳米线。