[发明专利]快闪存储器绝缘介质层的制作方法和快闪存储器结构在审
| 申请号： | 201310723663.1 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104733297A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 于法波 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/115;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快闪存储器绝缘介质层的制作方法和快闪存储器结构，所述方法包括：对形成有隧道氧化物层和浮栅多晶硅层的叠层结构的衬底进行氮化处理，以在所述浮栅多晶硅层上形成第一氮化层；在所述第一氮化层上形成第一氧化物层；在所述第一氧化物层上形成第二氮化层；对所述第二氮化层进行氧化处理，使得所述第二氮化层一部分形成第二氧化物层；对所述第二氧化物层的表面进行氮化处理，以形成第三氮化层。本发明提高快闪存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 绝缘 介质 制作方法 结构 | ||
【主权项】：
一种快闪存储器绝缘介质层的制作方法，其特征在于，包括：对形成有隧道氧化物层和浮栅多晶硅层的叠层结构的衬底进行氮化处理，以在所述浮栅多晶硅层上形成第一氮化层；在所述第一氮化层上形成第一氧化物层；在所述第一氧化物层上形成第二氮化层；对所述第二氮化层进行氧化处理，使得所述第二氮化层一部分形成第二氧化物层；对所述第二氧化物层的表面进行氮化处理，以形成第三氮化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
