[发明专利]一种互补型薄膜晶体管驱动背板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201310723714.0 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103681515A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘晓娣;王刚 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/027;H01L27/12;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种互补型薄膜晶体管驱动背板及其制备方法、显示装置。所述制备方法包括在衬底基板上形成下层电极；依次设置连续生长介质层、半导体层和扩散保护层；通过多灰阶光罩曝光工序形成无光刻胶区、N型薄膜晶体管制备区和P型薄膜晶体管制备区；通过等离子体灰化工序去除N型薄膜晶体管制备区的光刻胶层；去除N型薄膜晶体管制备区的扩散保护层；去除P型薄膜晶体管制备区的光刻胶层；对衬底基板进行氧化处理；在衬底基板上设置钝化层；在钝化层上形成上层电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互补 薄膜晶体管 驱动 背板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种互补型薄膜晶体管驱动背板的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、在衬底基板上形成下层电极；S2、依次设置连续生长介质层、半导体层和扩散保护层；S3、通过多灰阶光罩曝光工序形成无光刻胶区、N型薄膜晶体管制备区和P型薄膜晶体管制备区；S4、通过等离子体灰化工序去除N型薄膜晶体管制备区的光刻胶层；S5、去除N型薄膜晶体管制备区的扩散保护层；S6、去除P型薄膜晶体管制备区的光刻胶层；形成具有P型有源层的P型薄膜晶体管；S7、对衬底基板进行氧化处理；形成具有N型有源层的N型薄膜晶体管；S8、在衬底基板上设置钝化层；S9、在钝化层上形成上层电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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