[发明专利]用于变频器三相输入整流电路的晶闸管触发电路有效
申请号: | 201310723777.6 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN103683862A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 余骏;张江涛;王国强;康现伟;王胜勇 | 申请(专利权)人: | 中冶南方(武汉)自动化有限公司 |
主分类号: | H02M1/06 | 分类号: | H02M1/06;H02M7/219 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 王丹 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供用于变频器三相输入整流电路的晶闸管触发电路,包括快恢复二极管、充电电容、MOSFET、MOSFET栅极驱动调整电路和晶闸管驱动电路;本触发电路的输入端输入相电压,相电压经过快恢复二极管后与充电电容的正极连接,充电电容的正极与MOSFET的源极连接,MOSFET的漏极通过晶闸管驱动电路与待触发晶闸管的门极连接,充电电容的负极分别与待触发晶闸管的阴极和变频器整流电路正母线连接,充电电容与MOSFET的栅极之间设有MOSFET栅极驱动调整电路。本发明晶闸管触发电路用于三相输入整流电路,使该方案更加简洁实用、降低成本。 | ||
搜索关键词: | 用于 变频器 三相 输入 整流 电路 晶闸管 触发 | ||
【主权项】:
用于变频器三相输入整流电路的晶闸管触发电路,其特征在于:它包括快恢复二极管、充电电容、MOSFET、MOSFET栅极驱动调整电路和晶闸管驱动电路;本触发电路的输入端输入相电压,相电压经过快恢复二极管后与充电电容的正极连接,充电电容的正极与MOSFET的源极连接,MOSFET的漏极通过晶闸管驱动电路与待触发晶闸管的门极连接,充电电容的负极分别与待触发晶闸管的阴极和变频器整流电路正母线连接,充电电容与MOSFET的栅极之间设有MOSFET栅极驱动调整电路。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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