[发明专利]布线基板的制造方法及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201310724379.6 | 申请日: | 2013-12-25 |
公开(公告)号: | CN104378933B | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 后藤善秋 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46;H01L21/48 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 刘瑞东,陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的实施方式提供可在阻焊层容易形成开口的布线基板的制造方法及半导体装置的制造方法。实施方式的布线基板的制造方法具有在绝缘层110上形成具有连接端子120a及布线120b的布线层120的步骤;在布线层120的连接端子120a上层叠第1掩模层M11的步骤;在布线层120上及第1掩模层M11上层叠阻焊层140的步骤;蚀刻阻焊层140直到第1掩模层M11的表面露出为止的步骤;和除去通过蚀刻露出的第1掩模层M11的步骤。 | ||
搜索关键词: | 布线 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种布线基板的制造方法,其特征在于,具备:在绝缘层上形成具有连接端子及布线的布线层的步骤;在上述布线层的连接端子上层叠第1掩模层的步骤;在上述布线层上及上述第1掩模层上层叠阻焊层的步骤;蚀刻上述阻焊层直到上述第1掩模层的表面露出为止的步骤;和除去通过上述蚀刻露出的上述第1掩模层的步骤,在蚀刻上述阻焊层的步骤之前,具备:在上述阻焊层上层叠第2掩模层的步骤;和在上述第2掩模层的位于上述第1掩模层上的区域形成开口的步骤;以形成了开口的上述第2掩模层作为掩模,蚀刻上述阻焊层。
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