[发明专利]一种多晶硅TFT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310725152.3 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103746000A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 赵国 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L29/06;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人： | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅TFT器件及其制造方法，其中多晶硅TFT器件包括：交错排列的扫描线和数据线；与所述扫描线和数据线电连接的半导体层；以及与所述半导体层电连接的像素电极；所述半导体层自其与所述数据线的连接点至其与所述像素电极的连接点，形成依次间隔设置的多个通道区和掺杂区，所述通道区为所述半导体层与扫描线相交重叠的部分，其余部分为掺杂区，至少一个所述掺杂区的宽度为0.5-3um，离子掺杂浓度为2*E11~5*E15。本发明将半导体层设计为弯折图案，依次与扫描线相交，形成相互间隔设置的多个通道区和掺杂区，通过控制掺杂区的宽度及离子掺杂浓度来降低漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 tft 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅TFT器件，其特征在于，包括：交错排列的扫描线和数据线；与所述扫描线和数据线电连接的半导体层；以及与所述半导体层电连接的像素电极；所述半导体层自其与所述数据线的连接点至其与所述像素电极的连接点，形成依次间隔设置的多个通道区和掺杂区，所述通道区为所述半导体层与扫描线相交重叠的部分，其余部分为掺杂区，至少一个所述掺杂区的宽度为0.5‑3um，离子掺杂浓度为2*E11~5*E15。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310725152.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
