[发明专利]带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路及仿真方法有效
| 申请号： | 201310726976.2 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104753523B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王正楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094;G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路，包含基于标准BSIM3的LDMOS管，以及分别接在LDMOS源、漏端端的源端电阻、漏端电阻，另外增加一寄生MOS管，其源漏端分别于源端电阻、漏端电阻的剩余一端相连，并引出作为整个等效电路的源极及漏极，LDMOS管得栅极直接引出作为整个等效电路的栅极，寄生MOS管的栅极接一电压控制电压源的正极，电压控制电压源的负极接等效电路的漏极。本发明还公开了所述带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路的仿真方法。 | ||
| 搜索关键词： | 等效电路 场效应管 寄生效应 圆形高压 电压控制电压源 源端电阻 寄生 电阻 漏端 漏极 正极 源 漏端 负极接 源漏端 源极 | ||
【主权项】：
1.一种带寄生效应的圆形高压场效应管等效电路，其特征在于：包含一个基于BSIM3标准的LDMOS管，一个MOS管，第一电阻及第二电阻，以及一个电压控制电压源，所述LDMOS管、MOS管、第一电阻及第二电阻、电压控制电压源的连接关系为：所述LDMOS管的漏端连接第一电阻的第一端，LDMOS管的源端连接第二电阻的第一端，LDMOS管的栅极直接引出；所述MOS管的栅极连接电压控制电压源的正极， MOS管的源极接电压控制电压源的负极，MOS管的漏极接所述第二电阻的第二端；所述第一电阻的第二端引出为等效电路的漏极，第二电阻的第二端引出为等效电路的源极。
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