[发明专利]等离子体处理腔室及其静电夹盘的制造方法在审
| 申请号： | 201310727863.4 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104752119A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 贺小明 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/00 | 分类号： | H01J9/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种等离子体处理腔室及其静电夹盘的制造方法，其中，所述制造方法包括如下步骤：提供一陶瓷基底；在所述陶瓷基底上打若干通孔，所述通孔用于容纳金属连接线；提供若干金属连接线，将若干金属连接线分别镶嵌入所述陶瓷基底的所述若干通孔之中；在真空环境中利用扩散焊加热镶嵌了金属连接线的陶瓷基底，使得所述金属连接线和通孔焊接在一起；将直流电极层置于所述陶瓷基底之上；在放置了直流电极层的陶瓷基底之上涂覆抗腐蚀层。本发明制造的金属连接线，不会损坏直流电极层，在其上继续涂覆抗腐蚀层也极为稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 及其 静电 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理腔室的静电夹盘的制造方法，其中，所述制造方法包括如下步骤：提供一陶瓷基底；在所述陶瓷基底上打若干通孔，所述通孔用于容纳金属连接线；提供若干金属连接线，将若干金属连接线分别镶嵌入所述陶瓷基底的所述若干通孔之中；在真空环境中利用扩散焊加热镶嵌了金属连接线的陶瓷基底，使得所述金属连接线和通孔焊接在一起；将直流电极层置于所述陶瓷基底之上；在放置了直流电极层的陶瓷基底之上涂覆抗腐蚀层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）有限公司，未经中微半导体设备（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310727863.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高次模圆柱输出腔
- 下一篇：一种高精熔丝管全自动组装机
