[发明专利]一种汽车控制器的电源延时电路有效
申请号: | 201310728449.5 | 申请日: | 2013-12-25 |
公开(公告)号: | CN103716025B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 赵治国;郑争兴;刁威振 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | H03K17/28 | 分类号: | H03K17/28 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人: | 赵继明 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种汽车控制器的电源延时电路,包括电源保护模块、电源开关模块、软件延时模块和硬件延时模块,所述的电源开关模块分别连接电源保护模块、软件延时模块和硬件延时模块,所述的电源保护模块与外部电源连接,所述的软件延时模块与控制器MCU连接;所述的软件延时模块和硬件延时模块控制电源开关模块导通,从而控制控制器工作。与现有技术相比,本发明具有成本低廉、控制灵活、安全可靠等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 汽车 控制器 电源 延时 电路 | ||
【主权项】:
一种汽车控制器的电源延时电路,其特征在于,包括:电源保护模块、电源开关模块、软件延时模块和硬件延时模块,所述的电源开关模块分别连接电源保护模块、软件延时模块和硬件延时模块,所述的电源保护模块与外部电源连接,所述的软件延时模块与控制器MCU连接;所述的软件延时模块和硬件延时模块控制电源开关模块导通,从而控制控制器工作;所述的电源保护模块包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻、第一P沟道MOSFET管、第一输入端和第二输入端,其中,所述的第一输入端、第二输入端分别接外部电源的负极和正极;所述的第一电容一端与第一输入端连接,另一端接地;所述的第四电容一端与第二输入端连接,另一端接地;所述的第二电容、第三电容串联后连接在第一输入端和第二输入端之间;所述的第一电阻一端与第一输入端连接,另一端与第一P沟道MOSFET管的栅极连接;所述的第一P沟道MOSFET管的漏极与第二输入端连接,源极与电源开关模块连接;所述的电源开关模块包括第二电阻、第五电容、第二P沟道MOSFET管、第一N沟道MOSFET管、第一输出端和第二输出端,其中,所述的第一输出端、第二输出端分别为电源延时电路的负极和正极输出,所述的第一输出端与第一输入端连接;所述的第二电阻一端与第一P沟道MOSFET管的源极连接,另一端与第二P沟道MOSFET管的栅极连接;所述的第五电容一端与第一P沟道MOSFET管的源极连接,另一端接第二P沟道MOSFET管的栅极;所述的第二P沟道MOSFET管的漏极与第二输出端连接,源极与第一P沟道MOSFET管的源极连接;所述的第一N沟道MOSFET管的源极接地,漏极与第二电阻连接,栅极分别连接软件延时模块和硬件延时模块;所述的软件延时模块包括第三电阻、第二N沟道MOSFET管、第四电阻、第三P沟道MOSFET管和第三输入端,其中,所述的第三输入端与控制器MCU连接,接收软件延时信号;所述的第三电阻一端与第一P沟道MOSFET管的源极连接,另一端与第二N沟道MOSFET管的漏极连接;所述的第二N沟道MOSFET管的栅极与第三输入端连接,源极接地;所述的第三P沟道MOSFET管的栅极与第二N沟道MOSFET管的漏极连接,源极与第一P沟道MOSFET管的源极,漏极与第四电阻一端连接,所述的第四电阻的另一端与第一N沟道MOSFET管的栅极连接;所述的第三输入端为高电平时,驱动第二N沟道MOSFET管导通,进而驱动第三P沟道MOSFET管导通,第三P沟道MOSFET管驱动第一N沟道MOSFET管导通;所述的硬件延时模块包括二极管、第五电阻、第六电容、第六电阻和第四输入端,其中,所述的二极管阳极与第四输入端连接,阴极与第五电阻一端连接,所述的第五电阻另一端与第一N沟道MOSFET管的栅极连接;所述的第六电容正极与第一N沟道MOSFET管的栅极,负极接地;所述的第六电阻与第六电容并联;所述的第四输入端为低电平时,二极管截止,第六电容放电,驱动第一N沟道MOSFET管持续导通。
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