[发明专利]侧向扩散式金氧半场效晶体管结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201310729085.2 | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104716181A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李秋德;陈冠宇;许茗舜;王智充;林克峰;林淑雯;黄世腾;游焜煌 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种侧向扩散式金氧半场效晶体管结构，其包括半导体基板、漏极区、轻掺杂漏极区、源极区以及栅极结构。其中，基板具有沟槽；漏极区形成于沟槽底部的半导体基板中；轻掺杂漏极区形成于沟槽侧壁的半导体基板中；源极区形成于半导体基板中；栅极结构形成于漏极区与源极区间以及轻掺杂漏极区上方的半导体基板表面上。本发明另提供侧向扩散式金氧半场效晶体管结构制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 侧向 扩散 式金氧 半场 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种侧向扩散式金氧半场效晶体管结构，其包含：半导体基板，其中具有一沟槽；漏极区，形成于该沟槽底部的该半导体基板中；轻掺杂漏极区，形成于该沟槽侧壁的该半导体基板中；源极区，形成于该半导体基板中；以及栅极结构，形成于该漏极区与该源极区间以及该轻掺杂漏极区上方的该半导体基板表面上。
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