[发明专利]响应度空间可变PIN光电探测器及其制作方法有效
申请号: | 201310729364.9 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN103646985A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 鲁卿;向勇军;谭千里;孙诗;曹飞 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L31/105 | 分类号: | H01L31/105;H01L31/18 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 侯懋琪;寸南华 |
地址: | 400060 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 为解决现有技术PIN光电探测器存在的在目标距离较近时,输出会产生饱和,从而影响接收系统的动态响应范围等问题,本发明提出一种响应度空间可变PIN光电探测器及其制作方法,在长条矩形I型硅衬底SiO2绝缘层上设置长条矩形光敏面,在光敏面增透膜上设置有一系列从长条矩形中心到两边宽度逐渐变窄的长条形Au膜,并由长条形Au膜的间隙构成光敏区;所述Au膜为蒸镀膜,所述长条形Au膜采用光刻蚀方法制备,所述光敏区的宽度从长条矩形中心到两边宽度逐渐变宽。本发明的有益技术效果是能够使探测器能在光斑信号面积较大且强度弱和光斑信号面积较小且强度高都具有适宜的输出,不会对接收系统的动态响应范围造成影响。 | ||
搜索关键词: | 响应 空间 可变 pin 光电 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种响应度空间可变PIN光电探测器,其特征在于,在长条矩形I型硅衬底SiO2绝缘层上设置长条矩形光敏面,在光敏面增透膜上设置有一系列从长条矩形中心到两边宽度逐渐变窄的长条形Au膜,并由长条形Au膜的间隙构成光敏区;所述Au膜为蒸镀膜,所述长条形Au膜采用光刻蚀方法制备,所述光敏区的宽度从长条矩形中心到两边宽度逐渐变宽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的