[发明专利]一种从髙硅原料中提取锗方法有效
申请号: | 201310730941.6 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN103667693A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 李世平;倪常凯;韦国龙;周代江 | 申请(专利权)人: | 贵州顶效开发区宏达金属综合回收有限公司 |
主分类号: | C22B3/08 | 分类号: | C22B3/08;C22B3/28;C22B41/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 谷庆红 |
地址: | 562409 贵州省黔*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | 本发明涉及湿法冶金技术领域,尤其是一种从髙硅原料中提取锗方法,首先采用含氟H2SO4溶液从髙硅原料中氟化浸出锗,并且添加锗络合剂,获得氟化浸出液;再使用叔胺-煤油体系与氟化浸出液进行萃取用氢氧化钠进行反萃取水解,获得含Ge6%以上的锗精矿;萃取余液为含氟余液,加入钙盐中和剂中和并过滤,获得GaF2;再将GaF2用H2SO4溶解,获得含氟的H2SO4溶液,返回氟化浸出过程中再利用;提高了锗的回收率,提高了生产产品的附加值,降低了生产成本,避免了硅包裹锗,使得锗难以被提取出来的技术难题,避免设备被强腐蚀的技术问题,延长了设备的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 原料 提取 方法 | ||
【主权项】:
一种从髙硅原料中提取锗方法,其特征在于:首先采用含氟H2SO4溶液从髙硅原料中氟化浸出锗,并且添加锗络合剂,获得氟化浸出液;再使用叔胺‑煤油体系与氟化浸出液进行萃取,再用氢氧化钠进行反萃取,水解,获得含Ge6%以上锗精矿;萃取余液为含氟余液,加入钙盐中和剂中和并过滤,获得GaF2;再将GaF2用H2SO4溶解,获得含氟的H2SO4溶液,返回氟化浸出过程中再利用。
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