[发明专利]化学气相沉积方法和装置

摘要

本发明一种化学气相沉积方法，该化学气相沉积方法包括向设置有基片的反应腔内通入金属源前驱体和非金属源前驱体，其中，所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过在化学气相沉积过程中始终开启的等离子体发生装置，且所述金属源前驱体脉冲地通入所述反应腔中。本发明还提供一种化学气相沉积设备。在整个化学气相沉积的过程中等离子体发生装置始终开启，避免了等离子体发生装置的电极频繁起辉，降低了所述电极在射频高压作用下受轰击而产生颗粒的风险，因此也降低了颗粒污染基片的风险，并且提高了等离子体发生装置中射频电源的寿命。

主权项

一种化学气相沉积方法，该化学气相沉积方法包括向设置有基片的反应腔内通入金属源前驱体和非金属源前驱体，其特征在于，所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过在化学气相沉积过程中始终开启的等离子体发生装置，且所述金属源前驱体脉冲地通入所述反应腔中。