[发明专利]锰掺杂锑酸铈发光薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201310731380.1 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104745187A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;陈吉星;王平;张振华 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/78 | 分类号： | C09K11/78;H01L51/54 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锰掺杂锑酸铈发光薄膜及其制备方法和应用；该薄膜结构通式为CeSb5O14：xMn4+；其中，CeSb5O14是基质，Mn4+是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心；x的取值为0.01～0.08。本发明采用磁控溅射设备，制备锰掺杂锑酸铈发光薄膜CeSb5O14：xMn4+，得到薄膜的电致发光谱（EL）中，在520nm位置有很强的发光峰，可作为薄膜电致发光器件的潜在应用材料。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 锑酸铈 发光 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种锰掺杂锑酸铈发光薄膜，其特征在于，其结构通式为CeSb5O14：xMn4+；其中，CeSb5O14是基质，Mn4+是激活元素，在薄膜中充当主要的发光中心；x的取值为0.01～0.08。
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