[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310731501.2 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104752317A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层和多孔低k介电层；在多孔低k介电层中形成铜金属互连结构；在铜金属互连结构的侧壁和底部沉积形成铜金属扩散阻挡层；对半导体衬底实施后处理过程，以修复受到损伤的多孔低k介电层，并提升多孔低k介电层的机械强度；在铜金属互连结构中填充铜金属互连层。根据本发明，在沉积形成铜金属扩散阻挡层之后，对半导体衬底实施后处理过程，可以修复形成铜金属互连结构时受到损伤的多孔低k介电层，提升多孔低k介电层的机械强度，避免器件性能的下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层和多孔低k介电层；在所述多孔低k介电层中形成铜金属互连结构；在所述铜金属互连结构的侧壁和底部沉积形成铜金属扩散阻挡层；对所述半导体衬底实施后处理过程，以修复受到损伤的所述多孔低k介电层，并提升所述多孔低k介电层的机械强度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
