[发明专利]一种OLED器件及其制造方法有效
申请号: | 201310734417.6 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN104752612B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 祝晓钊 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 马廷昭 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种OLED器件及其制造方法,该OLED器件包括有基板及镀于该基板上的阳极,该阳极上方沉积有网格形状的隔离柱层,该隔离柱层上沉积一层网格形状或条纹形状的导电膜,在该阳极上方位于该隔离柱层所限定的网格内蒸镀有有机层,该有机层及导电膜上方蒸镀有阴极。本发明中在Pillar层上方形成透明的非金属导电网格或者不透明金属导电网格,并与阴极接触导通,从而降低阴极的电阻,有效防止或者减轻由于阴极薄导致的IR压降问题,同时可以使阴极做的更薄。 | ||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种OLED器件制造方法,其特征在于,该方法包括:(1)在基板上方镀上阳极;(2)在阳极上方沉积一层网格形状的隔离柱层,在隔离柱层上方沉积一层网格形状或条纹形状的导电膜;(3)在隔离柱层所限定的网格内蒸镀有机层;(4)在所述有机层与网格形状或条纹形状的导电膜上方蒸镀一层阴极;其中,步骤(2)包括:在所述阳极上沉积一层隔离柱层,在该隔离柱层上方沉积一层导电膜;对导电膜进行刻蚀,形成导电网格或者导电条纹,之后利用光刻技术将隔离柱层刻蚀成网格形状,刻蚀后的导电膜沉积在刻蚀后的隔离柱层上方;或者,步骤(2)包括:在所述阳极上沉积一层隔离柱层;将隔离柱层刻蚀成网格形状;在网格形状的隔离柱层上沉积一层导电膜;将导电膜刻蚀成网格形状或者条纹形状,网格形状或者条纹形状的导电膜覆盖在刻蚀后的隔离柱层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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