[发明专利]半导体装置的制造方法以及制造装置

摘要

本发明的实施方式提供特性良好的半导体装置的制造方法以及制造装置。实施方式涉及的半导体装置的制造方法具备：对碳化硅基板注入杂质的工序；对所述碳化硅基板的一个面涂敷有机溶液的工序；通过在非氧化性气氛中对所述有机溶液进行加热，在所述碳化硅基板的所述一个面上以及另一个面上形成碳层的工序；和使所述杂质活化的工序。

主权项

一种半导体装置的制造方法，具备：对第一及第二碳化硅基板分别注入杂质的工序；对所述第一碳化硅基板的一个面以及所述第二碳化硅基板的一个面涂敷有机溶液的工序；在非活性气体气氛中，在将所述第一及第二碳化硅基板排列成所述第一碳化硅基板的所述一个面与所述第二碳化硅基板的另一个面对置的状态下对所述有机溶液进行加热，由此使溶质的一部分从所述有机溶液气化，使气化后的所述溶质附着到所述第二碳化硅基板的另一个面上，在所述第一及第二碳化硅基板的所述一个面上以及所述另一个面上形成碳层的工序；使所述杂质活化的工序；以及去除所述碳层的工序。