[发明专利]一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法无效
| 申请号： | 201310737885.9 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103700581A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;龚著靖;王盛凯;韩乐;杨旭;常虎东;孙兵;赵威;刘桂明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，该方法包括：清洗n型半导体单晶锗片；利用含硫的钝化液对该n型半导体单晶锗片的表面进行钝化；以及在该钝化后的n型半导体单晶锗片表面沉积金属作为源漏接触。本发明提供的制作金属与半导体锗源漏接触的方法，是在金属与n型锗接触之间引入钝化层，使得在n型锗上能实现较低电阻率的接触，能解决采用锗作为沟道材料的器件的源漏问题，从而进一步提高半导体锗MOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 金属 半导体 漏接 方法 | ||
【主权项】：
一种制作金属与n型半导体锗源漏接触的方法，其特征在于，该方法包括：清洗n型半导体单晶锗片；利用含硫的钝化液对该n型半导体单晶锗片的表面进行钝化；以及在该钝化后的n型半导体单晶锗片表面沉积金属作为源漏接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
