[发明专利]用于检测绝缘环的检测装置及等离子体加工设备在审
| 申请号： | 201310738716.7 | 申请日： | 2013-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104752250A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 赵可可;李杨超;佘清 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;C23C14/22 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于检测绝缘环的检测装置及等离子体加工设备，该检测装置包括检测单元和与之电连接的检测电路，其中，检测单元采用导电材料制成，其设置在绝缘环的上表面上，检测单元与检测电路形成闭合回路，用以通过检测导电回路中的电流值和/或电压值相对闭合回路中的原电流值和/或原电压值是否发生突变来检测绝缘环状态。本发明提供的用于检测绝缘环的检测装置，其不仅可以避免对绝缘环和静电卡盘造成损坏，从而可以降低生产成本、提高经济效益；而且可以提高工艺过程的稳定性，从而可以提高工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 绝缘 装置 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测绝缘环的检测装置，其特征在于，包括检测单元和与之电连接的检测电路，其中，所述检测单元采用导电材料制成，其设置在所述绝缘环的上表面上，所述检测单元与所述检测电路形成闭合回路，用以通过检测所述闭合回路中的电流值和/或电压值相对闭合回路中的原电流值和/或原电压值是否发生突变来检测所述绝缘环状态，以避免绝缘环的上表面上沉积金属凸起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
