[发明专利]纳米硅硼浆及其应用于制备全屏蔽硼背场的工艺有效
| 申请号： | 201310739043.7 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103714879A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 刘国钧;将红彬;万剑;沈晓燕;程亮;沈晓东 | 申请（专利权）人： | 苏州金瑞晨科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/18 | 分类号： | H01B1/18;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 刘宪池 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了纳米硅硼浆及其应用于制备全屏蔽硼背场的工艺，在普通电池生产工艺的基础上，加入印刷本发明所述纳米硅硼浆形成具有“全屏蔽”效果的硼背场，以代替现有铝背场，解决了铝背场带来的硅片翘曲，减少碎片提高良品率；另外，硼背场的电场强度比铝背场高，更有效地阻止光生载流子溢出硅片表面或界面发生复合。同时，纳米硅硼浆中的硅粒发生交联，并形成一层致密结构牢牢粘连在硅片基板上，有效地防止硼、磷扩散相互干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 硅硼浆 及其 应用于 制备 屏蔽 硼背场 工艺 | ||
【主权项】：
一种纳米硅硼浆，其特征在于，按重量配比，含有10～50份纳米硅粉、0.2～10份硼或氧化硼、50～100份溶剂、0～20份添加剂，纳米硅的粒径为10～200纳米。
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