[发明专利]以碳纳米管为掩膜制备FinFET的方法在审
| 申请号： | 201310739668.3 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103681356A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 郭奥;任铮;胡少坚;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种以碳纳米管为掩膜制备FinFET的方法，包括：在半导体衬底上形成水平排列的一维碳纳米管平行阵列结构；利用碳纳米管平行阵列结构作掩膜层，采用各向异性刻蚀工艺刻蚀半导体衬底，在半导体衬底中形成鳍形阵列结构；去除碳纳米管平行阵列结构；经光刻和刻蚀工艺，在鳍形阵列结构上制备出源/漏电极、栅电极和接触孔，从而形成FinFET器件。本发明的方法，可以有效控制鳍形结构的宽度，从而制备出具有小尺寸的鳍形结构的FinFET器件，不仅降低了工艺难度，而且有利于有效地调制器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制备 finfet 方法 | ||
【主权项】：
一种以碳纳米管为掩膜制备FinFET的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一个半导体衬底；步骤S02：在所述半导体衬底上形成水平排列的一维碳纳米管平行阵列结构；步骤S03：利用所述的碳纳米管平行阵列结构做掩膜层，采用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述的半导体衬底，在所述半导体衬底中形成鳍形阵列结构；步骤S04：去除所述碳纳米管平行阵列结构；步骤S05：经光刻和刻蚀工艺，在所述鳍形阵列结构上制备出源/漏电极、栅电极和接触孔，从而形成所述的FinFET器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
