[发明专利]分布布拉格反射镜结构及制备方法和有机发光二极管结构在审
| 申请号： | 201310739950.1 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103730601A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 侯文军;刘则;代青 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种分布布拉格反射镜结构，所述分布布拉格反射镜结构包括沿所述分布布拉格反射镜结构的厚度方向交替设置的不吸收可见光的高折射率层和不吸收可见光的低折射率层，其中，所述低折射率层由有机聚合物制成，且所述低折射率层的折射率不大于1.4。本发明还提供一种分布布拉格反射镜结构的制备方法和包括所述分布布拉格反射镜结构的有机发光二极管。由于低折射率层由有机聚合物制成，因此，在制备低折射率层时，工艺相对简单，从而降低了制造所述分布布拉格反射镜结构所需的时间成本，提高了生产效率。并且由于所述低折射率层和所述高折射率层均不吸收可见光，所以，所述分布布拉格反射镜结构可以用于普通的有机发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 分布 布拉格 反射 结构 制备 方法 有机 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种分布布拉格反射镜结构，所述分布布拉格反射镜结构包括沿所述分布布拉格反射镜结构的厚度方向交替设置的不吸收可见光的高折射率层和不吸收可见光的低折射率层，其特征在于，所述低折射率层由有机聚合物制成，且所述低折射率层的折射率不大于1.5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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