[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置

摘要

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可减少构图工艺次数，从而提升量产产品的产能，降低成本；该薄膜晶体管的制备方法包括通过一次构图工艺在基板上形成有源层、源极和漏极，且所述有源层、所述源极和所述漏极位于同一层；用于薄膜晶体、阵列基板及显示装置的制造。

主权项

一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：通过一次构图工艺在基板上形成有源层、源极和漏极，且所述有源层、所述源极和所述漏极位于同一层；所述通过一次构图工艺在基板上形成有源层、源极和漏极，具体包括：在基板上形成一层半导体薄膜，并在所述半导体薄膜上形成光刻胶；采用多色调掩膜板对形成有所述光刻胶的基板进行曝光、显影后，形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全保留部分对应待形成的半导体有源层的区域，所述光刻胶半保留部分对应待形成的所述源极和所述漏极的区域，所述光刻胶完全去除部分对应其他区域；采用刻蚀工艺去除所述光刻胶完全去除部分对应的所述半导体薄膜；采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的光刻胶；对所述半导体薄膜进行金属化处理，使露出的所述半导体薄膜转化为具有导体特性的薄膜，形成所述源极和所述漏极；对应所述光刻胶完全保留部分的所述半导体薄膜未受金属化处理影响，形成所述半导体有源层；采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶。