[发明专利]一种钛酸锶钡薄膜及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201310740835.6 | 申请日： | 2013-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103820760A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 董显林;宋丽蓉;陈莹;王根水 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;H01B3/12 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钛酸锶钡薄膜及其制备方法和应用。所述薄膜是由镧对钛酸锶钡A位及锰对钛酸锶钡B位共掺杂得到。该薄膜的制备是先制备La、Mn共掺杂的BST陶瓷溅射靶材；然后利用得到的La、Mn共掺杂的BST陶瓷溅射靶材在硅衬底基片上制备镍酸镧底电极；再利用得到的镍酸镧底电极、采用射频磁控溅射法沉积所述的钛酸锶钡薄膜。本发明实现了采用磁控溅射法制备镧和锰共掺杂的钛酸锶钡薄膜；且制得的BST薄膜呈钙钛矿结构，单一相，无杂相，且具有(100)择优取向；尤其是，具有高介电可调性、低介电损耗以及适中介电常数，有望应用于制作介电调谐器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钛酸锶钡 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种钛酸锶钡薄膜，其特征在于：是由镧对钛酸锶钡A位及锰对钛酸锶钡B位共掺杂得到的薄膜。
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