[发明专利]具有改进的噪声性能的X射线探测器有效
申请号: | 201310741529.4 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103904091A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | A.J.库图尔;G.帕塔萨拉蒂;J.J.刘 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 易皎鹤;汤春龙 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种具有改进的噪声性能的X射线探测器。在示例性实施例中,用于成像装置的探测器包括:形成光传感器的一部分的连续的无图案光电材料和相对于光电材料设置以形成光传感器的阳极或阴极的电极。连接到探测器的晶体管的输出的数据读出线可能容易受到来自光传感器的电极之间的电容耦连的电噪声的影响。在本申请的示例性实施例中,在电极和数据读出线之间可以形成横向偏移和/或垂直偏移,以控制电极和数据读出线之间的电容耦连。 | ||
搜索关键词: | 具有 改进 噪声 性能 射线 探测器 | ||
【主权项】:
一种制造成像探测器的方法,所述方法包括:在衬底上沉积多个晶体管;在关于所述衬底的第一平面形成数据读出线,所述数据读出线具有长度和宽度,并与所述多个晶体管中的至少两个晶体管电通信;在所述数据读出线上沉积连续的无图案光电材料,所述连续的无图案光电材料与所述多个晶体管中的所述至少两个晶体管电通信;在所述光电材料上沉积电极,所述电极被沉积在第二平面中;以及其中,所述电极与所述数据读出线侧向偏移。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气公司,未经通用电气公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310741529.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种碳纤维均匀性显微表征评价方法
- 下一篇:一种废水净化系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的