[发明专利]发光二极管封装结构及其封装方法有效
申请号: | 201310742364.2 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN104752597B | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 张超雄;陈滨全;林厚德;陈隆欣;曾文良 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/48 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 叶小勤 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种发光二极管封装结构,包括封装体、发光二极管晶粒、不透光的绝缘层以及两个引脚,该发光二极管晶粒嵌设在封装体底部,且该发光二极管晶粒的两个电极从封装体的底部暴露出来;该绝缘层覆盖封装体底部,且该绝缘层在对应发光二极管晶粒的两个电极处镂空而形成暴露出各发光二极管晶粒两个电极的两个凹陷部;该两个引脚分别设置在两个凹陷部中的一者内,并且每个引脚自绝缘层的凹陷部向远离封装体的方向延伸并局部覆盖所述绝缘层远离封装体的表面。本发明还提供一种该发光二极管封装结构的封装方法。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管封装结构,包括:一个封装体;一个发光二极管晶粒,该发光二极管晶粒嵌设在封装体底部,且该发光二极管晶粒的两个电极从封装体的底部暴露出来;一个不透光的绝缘层,该绝缘层覆盖封装体底部,且该绝缘层在对应发光二极管晶粒的两个电极处镂空而形成暴露出各发光二极管晶粒两个电极的两个凹陷部,以及两个引脚,该两个引脚分别设置在两个凹陷部中的一者内直接与所述发光二极管晶粒的电极接触连接,并且每个引脚自绝缘层的凹陷部向远离封装体的方向延伸并局部覆盖所述绝缘层远离封装体的表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司,未经展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310742364.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种OLED器件及其制造方法
- 下一篇:发光二极体封装结构及发光二极体模组